Tez Arşivi

Tez aramanızı kolaylaştıracak arama motoru. Yazar, danışman, başlık ve özete göre tezleri arayabilirsiniz.


Ankara Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü

Al/ SnO2/ p-Si/ Al yapılarında ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisi

The Effect of thermal annealing on interface states in Al/ SnO2/ p-Si/ Al

Teze Git (tez.yok.gov.tr)

Bu tezin tam metni bu sitede bulunmamaktadır. Teze erişmek için tıklayın. Eğer tez bulunamazsa, YÖK Tez Merkezi tarama bölümünde 120927 tez numarasıyla arayabilirsiniz.

Özet:

ÖZET Yüksek Lisans Tezi Al/SnO2/p-Si/Al YAPILARINDA ISISAL TAVLAMANIN YÜZEY DURUMLARINA ETKİSİ Nurcan YILDIRIM Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Tülay SERİN Bu çalışmanın amacı Al/SnO2/p-Si/Al yapılarının incelenmesi ve ısısal tavlamanın yüzey durumlarına etkisinin araştırılmasıdır. Bu amaçla, p-tipi, O.S îî-cm özdirençli (111) yönünde silisyum tek kristali kullanılarak Al/SnO2/p-Si/Al diyotları hazırlanmıştır. Elde edilen bu yapılara etki eden faktörler ve fiziksel parametreler incelenmiştir. Düz beslem akım-gerilim (I-V) belirtkenleri 123-293K sıcaklık aralığında ve ters beslem kapasite-gerilim (C-V) belirtkenleri 153-293K sıcaklık aralığında ve 100 kHz frekansta ölçülmüştür. Yapıya etki eden arayüzey durumlarının enerji bağlılığı ideallik faktörü ile yüzey durumları arasındaki ilişkiden ve sıcaklık yönteminden elde edilmiştir. Daha sonra ise yapı 2S0 "C'de önce 1 saat sonra 3 saat süreyle tavlanmıştır. Aynı parametreler tekrar hesaplanarak ısısal tavlamanın etkisi incelenmiştir. 2002,73 sayfa ANAHTAR KELİMELER : Arayüzey Durumları, Isısal Tavlama, MİS, SnO2

Summary:

ABSTRACT Ph. M. Thesis THE EFFECT OF THERMAL ANNEALING ON INTERFACE STATES IN AI/S11O2/P-Sİ/AI STRUCTURE Nurcan YILDIRIM Ankara University Graduate School Natural and Applied Sciences Department of Engineering Physics Supervisor: Prof. Dr. TOlay SERÎN In the present work it was aimed to determine the effects of thermal annealing on surface states and to analyze Al/SnOa/p-Si/Al structures. In order to realize that goal, the Al/Sn02/p-Si/Al diodes were prepared p-type, 0.8 D-cm resistivity from single crystalline silicon of orientation (111). The physical parameters and factors which effected these structures were determined. The forward current-voltage (I-V) measurements were performed in the temperature range of 123-293K. The reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured at 100kHz frequency at the temperature range of 153-293K. The energy profile of the surface states effecting on diodes were determined by the relation between surface states and ideality factor and temperature procedure. Then the structure was annealed at 250°C for an hour and later for 3 hours. By calculating the same parameters again the effects of thermal annealing was determined. " * 2002, 73 pages Key Words : Interface States, Thermal Annealing, MIS, SnOj